1.离子鞘层 v d c 首先对离子鞘层产生机理加以说明。 如下图a所示的平行板型etch设备(rie),面对面的一对电极中,rf电源隔着阻隔电容器连接承载wafer的电极端,. 缓冲氢氟酸通过氟化铵的缓冲作用,可以控制蚀刻速率,使其更加均匀和可控。 boe (buffered oxide etch),缓冲氧化物蚀刻液。 boe其实也是氢氟酸(hf)和氟化铵(nh₄f)的混合物,. All in one可以理解为把多道etch wet等工艺合并为一道工艺,逻辑方面最常见的就是 metal hard mask的all in one etch,如图,可以同时一步完成trech和via的etch。 在先进patterning方面,.
Trn etch是一种用于制作超大规模集成电路的先进光刻技术,它的全称是triple patterning lithography (tpl),即三重光刻技术1。 它的主要特点是将一个复杂的图形分成三个.